華為布局第三代半導體技術！
據報道，華為公司日前通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司，占股10%，后者是一家以碳化硅為主的半導體材料公司，此舉顯示華為正在布局新一代半導體技術。
山東天岳注冊于2011年，位于山東濟南市，已成長為行業內國際先進的碳化硅半導體材料世界級企業。目前山東天岳已是國家工信部主管的“中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟”理事長單位，建有“碳化硅半導體材料研發技術”國家地方聯合工程研究中心、國家博士后科研工作站和2個省級研發平臺，在海外設有4個研發中心，擁有60余人研發團隊，先后承擔20余項國家、省部級課題。
據官網介紹，以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可廣泛用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，今后可以廣泛應用于大功率高頻電子器件、半導體發光二極管（LED），以及諸如5G通訊、物流網等微波通訊領域，并被列入《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》，在今后國民經濟的發展中占有重要地位。
華為沒有公布投資碳化硅技術的具體內容，不過碳化硅主要應用市場有5G、汽車IGBT芯片及微波通信等領域，這些多少都跟華為現在及未來的業務有關。
從今年5月16日之后，包括海思在內的半導體業務對華為而言意義更加重要，前幾天海思的注冊資本還從6億大漲到了20億，意味著半導體業務還要繼續擴大，這次投資第三代半導體材料技術顯然也是未雨綢繆，提高國內技術所占的比重。
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